三星2納米製程遠遜台積電　良率低至...

外媒報道，美國電動車大廠特斯拉行政總裁馬斯克早前公布，AI晶片AI5的設計已定案，同時對代工三星電子表達感謝。惟南韓媒體Chosun Biz報道，2納米製程是三星電子代工部門今年的最大戰場，雖然有特斯拉加持，惟三星2納米製程的良率及獲利能力皆未成熟。報道透露，三星電子的2納米製程良率約55%，不但低於一般認為穩定量產門檻的60%良率，更遠低於台積電80至90%良率。

雖然三星電子的2納米製程採用較先進的環繞式閘極(GAA)架構，而非沿用傳統的鰭式場效技術(FinFET)，但最關鍵的良率遜色，難以穩固2納米製程的市場地位。

報道稱，若良率無法達到一定水平，客戶難以對供應穩定性具信心，甚至代工廠產量愈大，虧損愈大。

南韓一名晶圓代工業人士分析，三星目前惟有持續取得大客戶，並透過穩定生產系統分攤固定成本，才能提高獲利能力。